概要
高硬度、高密度、高强度的材料,拥有优异的耐消耗(耐离子光束)、低微粒性的性能。
特征
低消耗性、低微粒性
拥有对离子光束的耐消耗性以及低微粒性,可用于离子注入装置的部件。
高纯度
杂质含有量为100ppm以下,通过纯化处理可以满足5ppm以下要求。
功能
因其低消耗性(耐离子光束)、低微粒性以及高純特点,适用于离子注入装 置部件,可以提高注入晶片的成品率。
技术数据
相关技术链接
高纯度
VGI
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高硬度、高密度、高强度的材料,拥有优异的耐消耗(耐离子光束)、低微粒性的性能。
特征
低消耗性、低微粒性
拥有对离子光束的耐消耗性以及低微粒性,可用于离子注入装置的部件。
高纯度
杂质含有量为100ppm以下,通过纯化处理可以满足5ppm以下要求。
功能
因其低消耗性(耐离子光束)、低微粒性以及高純特点,适用于离子注入装 置部件,可以提高注入晶片的成品率。
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